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中信建投:AIDC电源革新正式敞开 电源主机、储能等四大方向有望共振
- 发布时间:2026-01-17
- 作者: 斯诺克直播吧免费直播
智通财经APP得悉,中信建投发布研报称,AI供电计划的底子驱动力是单芯片和单机柜功率的不断的进步,现在以英伟达为首的AI芯片厂商不断迭代晋级其最新AI芯片的功率。经过NVL72(英伟达)、Superpod(谷歌)等多芯片规划,单机柜功率进一步向MW级跨进。至2028年北美新增AI数据中心功率可达71GW。依据工业趋势优先,统筹弹性和公司α,AIDC电源主机、电站级储能、中心增量零部件以及GaN、SiC等第三代半导体四大方向值得重视。
以英伟达为首的AI芯片厂商不断迭代晋级其最新AI芯片的功率。英伟达已从Maxwell年代单颗芯片250W提升至B200芯片的超越1000W;谷歌、微软、Meta等自研芯片也向单颗1000W以上跨进。经过NVL72(英伟达)、Superpod(谷歌)等多芯片规划,单机柜功率进一步向MW级跨进。至2028年北美新增AI数据中心功率可达71GW。
英伟达发布的800V供电白皮书给出了沟通→800V直流(低压整流器过渡)→800V直流(HVDC sidecar计划)→SST(固态变压器)的明晰迭代途径。一起OCP安排经过多批规范的迭代也确立了±400V的供电规范。但两者意图均是经过直流供电完结MW级机柜功率,也认可SST作为终极的供电计划。
从产品形状来看,集成多种设备和功用的HVDC Sidecar、SST主机可以在必定程度上完结一步降压、交直转化、备电和电能质量改进等多种功用。而其研制的要害难点在其间的功率改换模块(PSU)、高频阻隔变压器等;从技能根底来看,第三代宽禁带半导体如SiC、GaN是电源可以在必定程度上完结高电压、高效率、高变比输出的要害,一起电路拓扑的规划对公司研制实力要求高。
从增量环节来看,选用高压直流供电后需增设机柜内固态断路器、DC/DC电源、电子熔断器、笔直供电VPD等环节,一起为了可以更好的确保供电可靠性和电能质量CBU、BBU也成为有必要。而储能则成为处理美国电力缺口和数据中心并网危机的最主要挑选。
结合公司α、事务弹性和发展,引荐阳光电源、麦格米特、欧陆通、良信股份、金盘科技等。
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